上海南芯半导体科技股份有限公司(以下简称南芯)受邀参加7月30日由充电网主办的2021全球第三代半导体快充产业峰会。本次峰会汇聚了众多氮化镓、碳化硅企业，以及多家第三代半导体快充控制芯片供应商、方案商等。

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在展会上，南芯展出了全部自主研发的氮化镓快充方案，基于SC3056合封氮化镓芯片+SC3503同步整流控制器+SC2151A协议芯片，实现了氮化镓快充全面国产化。

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南芯半导体AC-DC专案经理 高建龙先生在本次大会上发表了《集你所需，方寸汇聚高能 -- 南芯半导体GaN PD快充方案介绍》

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他主要介绍了南芯作为氮化镓快充控制器国产化的领头羊，实现了氮化镓控制芯片的自主可控，其专利技术的GaN直驱控制器被广泛使用。现已推出系列化的产品，满足不同的应用场景：30W功率级氮化镓快充方案（SC3021D+SC3503+SC2151A）；33W功率级氮化镓快充方案（SC3056+SC3503+SC2151A）65W氮化镓快充方案（SC3021A/C+SC3503+SC2151A）；单口、多口、集成GaN的多种快充方案。

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南芯氮化镓控制芯片已在紫米、努比亚、意象等大厂成功量产。

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南芯推出的高集成氮化镓合封芯片，代表着充电器上的尖端科技。不同于其他厂商的合封氮化镓芯片，南芯的合封芯片通过搭配合适的氮化镓芯片和控制器，来实现器件性能最优化，成本最优化，从而避免了器件性能上的浪费，降低器件成本，让更多的厂商都能用上氮化镓。